Popis předmětu - B1B13VES
B1B13VES | Výroba elektrotechnických součástek | ||
---|---|---|---|
Role: | PZ | Rozsah výuky: | 2P+2L |
Katedra: | 13113 | Jazyk výuky: | CS |
Garanti: | Papež V. | Zakončení: | Z,ZK |
Přednášející: | Papež V. | Kreditů: | 6 |
Cvičící: | Gdula L., Hájek J., Horák M., Papež V., Pražanová A. | Semestr: | L |
Anotace:
Technologie elektronických součástek, jejich označování, standardnizace. Základní užívané technologie. Typy součástek: rezistory, kondenzátory, vf. cívy a transformátory. Životní cykly součástek, ekologické aspekty výroby součástek.Výsledek studentské ankety předmětu je zde: AD1M13VES
Výsledek studentské ankety předmětu je zde: A1M13VES
Cíle studia:
Studenti budou seznámeni s technologií výroby elektronických součástek, jejich vlastnostmi a metodami testování kvality součástek.Osnovy přednášek:
1. | Vlastnosti elektrických obvodů | |
2. | Technologie elektronických součástek, standardizace. Řady vybraných hodnot. | |
3. | Konstrukce pevných rezistorů. | |
4. | Vlastnosti pevných rezistorů různých konstrukcí. | |
5. | Nelineární a proměnné rezistory. | |
6. | Kondenzátory svitkové, keramické, elektrolytické. | |
7. | Vlastnosti kondenzátorů, porovnání vlastností kondenzátorů různých konstrukcí. | |
8. | Součástky s indukčností, VF cívky, tlumivky. | |
9. | Transformátory - NF/VF, impulzní. | |
10. | Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení. | |
11. | Polovodičové diody, PIN a Schottkyho diody. Statické a dynamické parametry, charakteristiky. | |
12. | Proudem řízené součástky, bipolární tranzistory, statické a dynamické parametry a charakteristiky. | |
13. | Tyristory, statické a dynamické parametry a charakteristiky. | |
14. | Tranzistory FET, MOSFET, IGBT. Statické a dynamické parametry a charakteristiky. |
Osnovy cvičení:
1. | Výklad úloh 1 | |
2. | Vlastnosti rezistorů při vysokých kmitočtech. | |
3. | Nelinearita a šum rezistorů, nelineární rezistory. | |
4. | Vlastnosti kondenzátorů při vysokých kmitočtech. | |
5. | Feroelektrické kondenzátory.Elektrolytické kondenzátory, střadače elektrického náboje | |
6. | VF cívky. | |
7. | Výklad úloh 2 | |
8. | Impulzní a vysokofrekvenční transformátory | |
9. | Teplotní závislost charakteristik diod, výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT | |
10. | Součástky s rozloženými parametry | |
12. | Polovodičové spínače | |
13. | Zesilovače A,B.C | |
14. | Test, zápočet |
Literatura:
Benda, V., Papež, V. Komponenty výkonové elektroniky, Praha, ČVUT, 2006 Lutz J.et all: Semiconductor Power Dewices: Phisics, Charakteristics, Reliability, Springer 2011 Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006Požadavky:
Pro získání zápočtu se student účastní seminářů, dokumentuje výsledky měření, odevzdá protokol z jedné laboratorní úlohy, získá minimálmě 50% bodů dosažitelného počtu v závěrečném testuKlíčová slova:
elektronické součástky, výroba elektronických součástekPředmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán | Obor | Role | Dop. semestr |
BPEEM_BO_2018 | Před zařazením do oboru | PZ | 4 |
BPEEM1_2018 | Aplikovaná elektrotechnika | PZ | 4 |
Stránka vytvořena 16.9.2024 17:50:45, semestry: Z/2025-6, L/2023-4, Z,L/2024-5, Z/2023-4, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |