Popis předmětu - B1B13VES

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
B1B13VES Výroba elektrotechnických součástek
Role:PZ Rozsah výuky:2P+2L
Katedra:13113 Jazyk výuky:CS
Garanti:Papež V. Zakončení:Z,ZK
Přednášející:Papež V. Kreditů:6
Cvičící:Gdula L., Hájek J., Horák M., Papež V., Pražanová A. Semestr:L

Anotace:

Technologie elektronických součástek, jejich označování, standardnizace. Základní užívané technologie. Typy součástek: rezistory, kondenzátory, vf. cívy a transformátory. Životní cykly součástek, ekologické aspekty výroby součástek.

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: AD1M13VES

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: A1M13VES

Cíle studia:

Studenti budou seznámeni s technologií výroby elektronických součástek, jejich vlastnostmi a metodami testování kvality součástek.

Osnovy přednášek:

1. Vlastnosti elektrických obvodů
2. Technologie elektronických součástek, standardizace. Řady vybraných hodnot.
3. Konstrukce pevných rezistorů.
4. Vlastnosti pevných rezistorů různých konstrukcí.
5. Nelineární a proměnné rezistory.
6. Kondenzátory svitkové, keramické, elektrolytické.
7. Vlastnosti kondenzátorů, porovnání vlastností kondenzátorů různých konstrukcí.
8. Součástky s indukčností, VF cívky, tlumivky.
9. Transformátory - NF/VF, impulzní.
10. Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení.
11. Polovodičové diody, PIN a Schottkyho diody. Statické a dynamické parametry, charakteristiky.
12. Proudem řízené součástky, bipolární tranzistory, statické a dynamické parametry a charakteristiky.
13. Tyristory, statické a dynamické parametry a charakteristiky.
14. Tranzistory FET, MOSFET, IGBT. Statické a dynamické parametry a charakteristiky.

Osnovy cvičení:

1. Výklad úloh 1
2. Vlastnosti rezistorů při vysokých kmitočtech.
3. Nelinearita a šum rezistorů, nelineární rezistory.
4. Vlastnosti kondenzátorů při vysokých kmitočtech.
5. Feroelektrické kondenzátory.Elektrolytické kondenzátory, střadače elektrického náboje
6. VF cívky.
7. Výklad úloh 2
8. Impulzní a vysokofrekvenční transformátory
9. Teplotní závislost charakteristik diod, výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT
10. Součástky s rozloženými parametry
12. Polovodičové spínače
13. Zesilovače A,B.C
14. Test, zápočet

Literatura:

Benda, V., Papež, V. Komponenty výkonové elektroniky, Praha, ČVUT, 2006 Lutz J.et all: Semiconductor Power Dewices: Phisics, Charakteristics, Reliability, Springer 2011 Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006

Požadavky:

Pro získání zápočtu se student účastní seminářů, dokumentuje výsledky měření, odevzdá protokol z jedné laboratorní úlohy, získá minimálmě 50% bodů dosažitelného počtu v závěrečném testu

Klíčová slova:

elektronické součástky, výroba elektronických součástek

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
BPEEM_BO_2018 Před zařazením do oboru PZ 4
BPEEM1_2018 Aplikovaná elektrotechnika PZ 4


Stránka vytvořena 29.3.2024 07:54:26, semestry: Z/2024-5, Z,L/2023-4, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)