Přehled studia |
Přehled oborů |
Všechny skupiny předmětů |
Všechny předměty |
Seznam rolí |
Vysvětlivky
Návod
Anotace:
Základy TCADu. Simuláční systémy Silvaco Atlas a Synopsys Quantum ATK: Principy, aplikace. Základní rovnice, okrajové podmínky, numerické metody. Modely rekombinace, nárazové ionizace, pohyblivosti. Praktická cvičení formou individuálních projektů souvisejících s tématem studentovy disertační práce.
Cíle studia:
Získat teoretické znalosti i praktické zkušenosti pro použití součástkových modelů a simulačních nástrojů.
Obsah:
Úvod do teoretických modelů pro simulaci elektronických součástek. Aplikace těchto modelů v individuálních projektech souvisejících s tématem disertační práce.
Osnovy přednášek:
1. | | Základy TCAD |
2. | | Technologická simulace |
3. | | Součástková simulace. |
4. | | Principy součástkové simulace, aplikace |
5. | | Základní rovnice |
6. | | Okrajové podmínky |
7. | | Numerické metody |
8. | | Modely rekombinace |
9. | | Modely nárazové ionizace |
10. | | Modely pohyblivosti |
11. | | Smíšená simulace |
12. | | Rovnice vedení tepla |
13. | | Kvantové modely. |
14. | | Srovnání různých systémů TCAD |
Osnovy cvičení:
1. | | TCAD praktický úvod |
2. | | TCAD vstupy, výstupy, grafické rozhraní |
3. | | TCAD individuální projekt |
4. | | TCAD individuální projekt |
5. | | TCAD individuální projekt |
6. | | TCAD individuální projekt |
7. | | TCAD individuální projekt |
8 Průběžná prezentace řešení projektu
9. | | TCAD individuální projekt |
10. | | TCAD individuální projekt |
11. | | TCAD individuální projekt |
12. | | TCAD individuální projekt |
13. | | TCAD individuální projekt |
14. | | Závěrečná prezentace řešení projektu |
Literatura:
Silvaco TCAD manuals, Silvaco Inc. 2017, Synopsys/Quantumwise Reference manual 2017
M. | | Lundstrom, J. Guo: Nanoscale Transistors - Device physics, Modeling and Simulation, Springer 2006 |
K. | | Goser, P. Glösekötter, J. Dienstuhl, Nanoelectronics and Nanosystems, Springer, 2004. |
Ch. Kittel: Introduction to Solid State Physics, 8th ed., Wiley 2005
Požadavky:
Fyzika polovodičů
Poznámka:
Principles and Applications of Device Models |
Klíčová slova:
TCAD, součástkové modely, simulace
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Stránka vytvořena 27.7.2024 17:50:58, semestry: L/2024-5, L/2023-4, Z/2024-5, Z/2023-4, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů |
Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |