Přehled studia |
Přehled oborů |
Všechny skupiny předmětů |
Všechny předměty |
Seznam rolí |
Vysvětlivky
Návod
Anotace:
Základy TCADu. Simuláční systémy Silvaco Atlas a Synopsys Quantum ATK: Principy, aplikace. Základní rovnice, okrajové podmínky, numerické metody. Modely rekombinace, nárazové ionizace, pohyblivosti. Praktická cvičení formou individuálních projektů souvisejících s tématem studentovy disertační práce.
Cíle studia:
Získat teoretické znalosti i praktické zkušenosti pro použití součástkových modelů a simulačních nástrojů.
Obsah:
Úvod do teoretických modelů pro simulaci elektronických součástek. Aplikace těchto modelů v individuálních projektech souvisejících s tématem disertační práce.
Osnovy přednášek:
| 1. | | Základy TCAD |
| 2. | | Technologická simulace |
| 3. | | Součástková simulace. |
| 4. | | Principy součástkové simulace, aplikace |
| 5. | | Základní rovnice |
| 6. | | Okrajové podmínky |
| 7. | | Numerické metody |
| 8. | | Modely rekombinace |
| 9. | | Modely nárazové ionizace |
| 10. | | Modely pohyblivosti |
| 11. | | Smíšená simulace |
| 12. | | Rovnice vedení tepla |
| 13. | | Kvantové modely. |
| 14. | | Srovnání různých systémů TCAD |
Osnovy cvičení:
| 1. | | TCAD praktický úvod |
| 2. | | TCAD vstupy, výstupy, grafické rozhraní |
| 3. | | TCAD individuální projekt |
| 4. | | TCAD individuální projekt |
| 5. | | TCAD individuální projekt |
| 6. | | TCAD individuální projekt |
| 7. | | TCAD individuální projekt |
8 Průběžná prezentace řešení projektu
| 9. | | TCAD individuální projekt |
| 10. | | TCAD individuální projekt |
| 11. | | TCAD individuální projekt |
| 12. | | TCAD individuální projekt |
| 13. | | TCAD individuální projekt |
| 14. | | Závěrečná prezentace řešení projektu |
Literatura:
Silvaco TCAD manuals, Silvaco Inc. 2017, Synopsys/Quantumwise Reference manual 2017
| M. | | Lundstrom, J. Guo: Nanoscale Transistors - Device physics, Modeling and Simulation, Springer 2006 |
| K. | | Goser, P. Glösekötter, J. Dienstuhl, Nanoelectronics and Nanosystems, Springer, 2004. |
Ch. Kittel: Introduction to Solid State Physics, 8th ed., Wiley 2005
Požadavky:
Fyzika polovodičů
Poznámka:
| Principles and Applications of Device Models |
Klíčová slova:
TCAD, součástkové modely, simulace
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
| Stránka vytvořena 9.2.2026 09:51:17, semestry: Z,L/2026-7, Z,L/2027-8, Z,L/2025-6, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů |
Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |