Přehled studia |
Přehled oborů |
Všechny skupiny předmětů |
Všechny předměty |
Seznam rolí |
Vysvětlivky
Návod
Webová stránka:
https://moodle.fel.cvut.cz/courses/A1B13VST
Anotace:
Budou charakterizovány technologie používané v elektronice, laserové a vrstvové technologie, pouzdřebí IO. Dále budou zmíněny základy výroby vinutí, sušicí a impregnační procesy. Součástí předmětu jsou také základy polovodičových technologií, výroby a kontroly diskrétních polovodičových součástek, včetně technologie výkonové integrace. Dále budou prezentovány svazkové technologie, technologie využívající plazmatu, pouzdření a základní montážní technologie.
Výsledek studentské ankety předmětu je zde:
AD1B13VST
Výsledek studentské ankety předmětu je zde:
A1B13VST
Cíle studia:
Studenti se seznámí se základními typy technologických procesů užívaných v elektrotechnických výrobách a se základními typy výkonových elektronických součástek a jejich vlastnostmi.
Osnovy přednášek:
| 1. | | Lasery a laserový svazek jako technologický nástroj. Aplikace laserového svazku |
| 2. | | Elektronový svazek jako technologický nástroj. Zdroje elektronového svazku. Plazmové technologie. |
| 3. | | Tenké vrstvy. Použití tenkých vrstev. |
| 4. | | Tlusté vrstvy. Dilelektrický ohřev. |
| 5. | | Indukční ohřev. Technologie v silovém elektrickém nebo proudovém poli. |
| 6. | | Základy technologie vinutí. |
| 7. | | Sušení v elektrotechnické výrobě. |
| 8. | | Technologie impregnace. |
| 9. | | Technologie silových vodičů a kabelů. |
| 10. | | Výkonové diody, diody PIN a Schottkyho diody. Struktura, základní charakteristiky. |
| 11. | | Bipolární tranzistor. Struktura, základní charakteristiky. |
| 12. | | Proudem řízené součástky. Tyristory (SCR), vypínatelné součástky GTO, GCT, IGCT. |
| 13. | | Napěťově řízené součástky, MOSFET, tranzistor IGBT, struktura, základní charakteristiky. |
| 14. | | Pasivní součástky pro užití ve výkonových obvodech. |
Osnovy cvičení:
| 1. | | Organizace výuky. Bezpečnost v laboratoři. Objasnění 1. skupiny úloh. |
| 2. | | Realizace I. skupiny úloh. |
| 3. | | Realizace I. skupiny úloh. |
| 4. | | Realizace I. skupiny úloh. |
| 5. | | Realizace I. skupiny úloh. |
| 6. | | Realizace I. skupiny úloh. |
| 7. | | Realizace I. skupiny úloh. |
| 8. | | Realizace II. skupiny úloh. |
| 9. | | Realizace II. skupiny úloh. |
| 10. | | Realizace II. skupiny úloh. |
| 11. | | Realizace II. skupiny úloh. |
| 12. | | Realizace II. skupiny úloh. |
| 13. | | Realizace II. skupiny úloh. |
| 14. | | Zápočet. |
| I. | | skupina úloh |
Impregnační procesy, měkké pájení v elektronice, spojování silových kabelů, připojování vodičů. Vrtání a kontrola DPS, vytváření tenkých vrstev ve vakuu.
Měření teplotní závislosti propustných a závěrných charakteristik diod a tyristorů, měření závěrného zotavení diod, statické parametry tranzistorů, dynamické parametry tranzistorů, přechodné děje při spínání.
Literatura:
Schaaf, P.: Laser processing of materials. Springer. 2012
Plasma processing, Hephaestus books, 2011
Chopra, K. L., Kaur, I.: Thin films devices applications. Plenum Press, 2011
Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuremann, U., De Doncker, R.: Semiconductor power devices. Springer, 2011
Kuba,J.,Mach,P.: Technologické procesy, nakladatelství ČVUT , Praha, 2001
Vobecký, J., Záhlava, V.: Elektronika, součástky a obvody, principy a příklady, GRADA Praha, 2000
Požadavky:
Účast na cvičení je povinná. Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce. U zkoušky bude požadována znalost odpřednášené látky, vybraných studijních materiálů a látky probrané ve cvičeních.
Poznámka:
| Student musí získat nejprve zápočet aby byl připuštěn ke zkoušce. Rozsah výuky v kombinované formě studia: 21p+6l |
Klíčová slova:
Výkonové polovodičové součástky, základní technologické procesy
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
| Stránka vytvořena 7.9.2024 12:50:57, semestry: L/2024-5, Z/2025-6, Z,L/2023-4, Z/2024-5, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů |
Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |