Popis předmětu - B2M34PNIS

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
B2M34PNIS Pokročilý návrh integrovaných systémů
Role:PV Rozsah výuky:2P+2C
Katedra:13134 Jazyk výuky:CS
Garanti:Jakovenko J. Zakončení:Z,ZK
Přednášející:Barri D., Jakovenko J. Kreditů:6
Cvičící:Barri D. Semestr:Z

Anotace:

Předmět se zaměřuje na komplexní proces návrhu integrovaných obvodů od teoretických základů až po praktické fyzikální realizace (layout). V přednáškách jsou postupně probírány principy návrhu čipů, rozdíly mezi diskrétní a integrovanou technologií, technologie CMOS a BCD, metodiky správného návrhu tranzistorů a obvodových struktur, pokročilé přístupy k výkonovým MOS tranzistorům a stavebním blokům (referenční obvody, děliče, mix-signal prvky, stabilita). Další části se věnují návrhu lineárních regulátorů napětí (LDO), ochranám (OCP, eFuse, ESD), problematice parazitních jevů, topologiím čipu a metodám fyzikálního návrhu včetně automatizace a programování v Pythonu. Součástí je také problematika testování, diagnostiky chyb a ekonomických aspektů výroby čipů. Cvičení poskytují praktickou zkušenost s návrhovým prostředím Cadence Virtuoso a jazykem SKILL. V rámci předmětu se realizuje kompletní návrh integrovaného LDO regulátoru s proudovou ochranou, včetně detailního návrhu výkonového tranzistoru a zpětnovazební rezistorové děličky. Dále se zaměřují na pokročilé proudové zrcadla, řešení stability obvodů a postupné doplňování ochranných mechanismů. V rámci fyzikálního návrhu se procvičuje tvorba výkonových MOSFET struktur, párových prvků a programovatelných rezistorových děliček, následně je prováděna verifikace (DRC, LVS). Kurz je zakončen praktickými cvičeními zaměřenými na automatizaci analogového návrhu integrovaných obvodů.

Obsah:

Předmět se zaměřuje na komplexní proces návrhu integrovaných obvodů od teoretických základů až po praktické fyzikální realizace (layout). V přednáškách jsou postupně probírány principy návrhu čipů, rozdíly mezi diskrétní a integrovanou technologií, technologie CMOS a BCD, metodiky správného návrhu tranzistorů a obvodových struktur, pokročilé přístupy k výkonovým MOS tranzistorům a stavebním blokům (referenční obvody, děliče, mix-signal prvky, stabilita). Další části se věnují návrhu lineárních regulátorů napětí (LDO), ochranám (OCP, eFuse, ESD), problematice parazitních jevů, topologiím čipu a metodám fyzikálního návrhu včetně automatizace a programování v Pythonu. Součástí je také problematika testování, diagnostiky chyb a ekonomických aspektů výroby čipů. Cvičení poskytují praktickou zkušenost s návrhovým prostředím Cadence Virtuoso a jazykem SKILL. V rámci předmětu se realizuje kompletní návrh integrovaného LDO regulátoru s proudovou ochranou, včetně detailního návrhu výkonového tranzistoru a zpětnovazební rezistorové děličky. Dále se zaměřují na pokročilé proudové zrcadla, řešení stability obvodů a postupné doplňování ochranných mechanismů. V rámci fyzikálního návrhu se procvičuje tvorba výkonových MOSFET struktur, párových prvků a programovatelných rezistorových děliček, následně je prováděna verifikace (DRC, LVS). Kurz je zakončen praktickými cvičeními zaměřenými na automatizaci analogového návrhu integrovaných obvodů.

Osnovy přednášek:

1. Zrození nového čipu; návrh hierarchie, rozdíl mezi diskrétní a integrovanou technologií, popis technologie BCD a CMOS, pokročilý pohled na základní stavbní prvky návrhu integrovaných obvodů.
2. Správné návrhové postupy – zrcadlení, kaskodování, rozměry tranzistorů, párové struktury, proudová zatížitelnost, Rdson, Comon Mode+CASC, "škálování" rozměrů u digitálních a analogových obvodů, přesnost.
3. Pokročilý návrh výkonových integrovaných MOS tranzisotorů v analogových obvodech, typy výkonových MOS tranzistorů, napěťová třída výkonových tranzisotrů, popis copy MOS tranzistorů.
4. Pokročilý návrh stavebních bloků – část I – Startovací obvod, přesná reference napětí a proudu, pokročilá konfigurovatelnost.
5. Pokročilý návrh stavebních bloků – část II – Pokročilá konfigurovatelnost, děliče, obvody v režimu Mix (ADC, DAC atd.).
6. Pokročilý návrh stavebních bloků – část III – Popis metod k zajištění stability obvodů
7. Pokročilá konstrukce IP bloku I - lineární regulátory napětí (LDO), elektronické pojistky (eFuse), proudové ochrany (OCP)
8. Čip jako minové pole: ESD ochrana, odolnost proti latch-up, Triming, testovatelnost; parazitní struktury, Post layout simulace.
9. Pokročilý návrh topologie čipu - analogový TOP, digitální TOP; efekty závislé na rozložení (WPE, STI, wSTI, ant. dioda, PID, metalizace); půdorys (metodologie, vstupně výstupní bloky, umístění padů)
10. Metody automatizace rozložení fyzikálního návrhu integrovaných obvodů
11. Metody automatizace rozložení fyzikálního návrhu integrovaných obvodů v Python programovacím jazyce
12. Základní "zlatá" pravidla při fyzikálním návrhu integrovaných obvodů
13. Metody analýzy chyb v návrhu IC: Elektrické diagnostické metody, reprodukce, Optická, elektronová mikroskopie, SAW, RTG, IR, Obirch, LASER řez, FIB řez + depozice, metal fix.
14. Možnosti realizace čipů, nutné vstupy, ekonomická stránka.

Osnovy cvičení:

1. Uvedení do programovacího jazyka SKILL ve vývojovém prostředí Virtuoso Cadence
2. Popis navrhovaného čipu (LDO s OCP), přesný návrh zpětnovazební konfigurovatelné rezistorové děličky
3. Přesný návrh výkonového tranzistoru s respektováním podmínek pro danou LDO strukturu a s požadavky na RDS_ON
4. Pokročilý návrh LDO s jednoduchým proudovým zrcadlem
5. Pokročilý návrh LDO s kaskodovým proudovým zrcadlem
6. Řešení stability obvodů - part I 7.Řešení stability obvodů - part II
8. Doplnění pokročilého návrhu LDO s kaskodovým proudovým zrcadlem o proudovou ochranu (OCP)
9. Fyzikální návrh výkonového tranzistoru MOSFET včetně vodících vrstev (metal layers)
10. Fyzikální návrh rezistorové děličky použité v LDO (programovatelná rezistorová dělička)
11. Fyzikální návrh párových struktur v LDO topologii (diferenciální stupeň, proudové zrcadlo s kaskodou)
12. Verifikace fyzikálního návrhu, DRC, LVS
13. Automatizované rozvržení analogového návrhu integrovaných obvodů - part I 14.Automatizované rozvržení analogového návrhu integrovaných obvodů - part II

Literatura:

Povinná literatura: Analog design:
1) Razavi: Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGRAW-Hill,
2) Murari, F. Bertotti, G.A.Vignola: Smart Power ICs, Springer,
3) Gray, P Hurst, s. Lewis, R. Mayer: Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, John Wiley and Sons.
Doporučená literatura: Analog design:
1) Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 5th Edition, by J. Paul R. Gray, Paul J. Hurst, Stephen H.
Lewis, Robert G. Meyer
2) Analog Integrated Circuit Design, by Tony Chan Carusone, David Johns, Kenneth Martin
Analog layout:
1) The Art of Analog Layout, by Alan Hastings
2) Fundamentals of Power Semiconductor Devices, by BJ Baliga
3) Analog-to-Digital Conversion, by Marcel J.M. Pelgrom
Digital design:
1) P. J. Ashenden, The Designer's Guide to VHDL, Morgan Kaufmann, 2008

Požadavky:

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
MPEK1_2018 Elektronika PV 3


Stránka vytvořena 16.11.2025 17:51:34, semestry: L/2026-7, L/2025-6, L/2024-5, Z/2026-7, Z/2025-6, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)