Popis předmětu - A8M37CAD
Přehled studia |
Přehled oborů |
Všechny skupiny předmětů |
Všechny předměty |
Seznam rolí |
Vysvětlivky
Návod
modelování vf. tranzistorů, modelování zpoždění v mikrovlnných prvcích).
submikronové technologie, modely výkonových vf. prvků LDMOS)
vedení
rovnic, potlačení divergence.
Volterrových řad pro návrh směšovače
analýza s využitím citlivostní analýzy
New York 1998.
| A8M37CAD | CAD a numerické metody v RF návrhu | ||
|---|---|---|---|
| Role: | PO | Rozsah výuky: | 2P+0C |
| Katedra: | 13137 | Jazyk výuky: | CS |
| Garanti: | Zakončení: | KZ | |
| Přednášející: | Kreditů: | 3 | |
| Cvičící: | Semestr: | L | |
Anotace:
Předmět seznámí studenty se základy počítačového návrhu vysokofrekvenčních a mikrovlnných obvodů a systémů.Osnovy přednášek:
| 1. | Úvod. Algoritmy, jejich podmíněnost a numerická stabilita. | |
| 2. | Analýza lineárních obvodů - algoritmy vhodné pro obvody se soustředěnými/rozprostřenými parametry. | |
| 3. | Citlivostní a toleranční analýza. | |
| 4. | Metody ve frekvenční oblasti: Konečné diference, konečné prvky, Momentové metody | |
| 5. | Metody v časové oblasti. FDTD, formulace, konvergence a stabilita, okrajové podmínky, numerická disperse. | |
| 6. | Harmonická rovnováha a Volterrovy řady. | |
| 7. | Modelování vf. prvků; model BJT (základní parametry, modifikovaný model Gummel-Poon, kvazisaturační |
| 8. | Modely tranzistorů MOSFET (obecný semiempirický model, základní vlastnosti modelů BSIM a EKV pro |
| 9. | Modely prvků JFET/MESFET/pHEMT/SiGe, (kmitočtová) disperze jejich parametrů a parametrů modelů |
| 10. | Analýza nelineárních obvodů, základní vlastnosti algoritmů řešení systémů nelineárních algebrodiferenciálních |
| 11. | Semisymbolická analýza, výpočet nul a pólů velkých soustav, využití řídkých matic, linearizace, užití |
| 12. | Vícekriteriální optimalizace, využití citlivostní analýzy v časové i frekvenční oblasti k optimalizaci. Šumová |
| 13. | Základy systémového návrhu a optimalizace. | |
| 14. | Rezerva. |
Osnovy cvičení:
Literatura:
| 1. | T.A. Fjedly, T. Ytterdal, M. Shur, Introduction to Device Modeling and Circuit Simulation, John Wiley & Sons, |
| 2. | Andrei Vladimirescu, The SPICE Book, Wiley 1993. | |
| 3. | Y. Cheng and C. Hu, MOSFET Modeling & BSIM3 Users Guide, Kluwer Academic Publishers, Boston 1999. | |
| 4. | S. Sedra, K. C. Smith: Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 5th ed., 2003. | |
| 5. | J. Dobeš, V. Žalud: Moderní radiotechnika, BEN - technická literatura, Praha 2006. |
Požadavky:
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
| Plán | Obor | Role | Dop. semestr |
| MPOES2 | Vysokofrekvenční a digitální technika | PO | 2 |
| Stránka vytvořena 16.11.2025 17:51:34, semestry: L/2026-7, L/2025-6, L/2024-5, Z/2026-7, Z/2025-6, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |