Popis předmětu - XP34AT
| XP34AT | Aplikace nástrojů TCAD | ||
|---|---|---|---|
| Role: | S | Rozsah výuky: | 2P+2C |
| Katedra: | 13134 | Jazyk výuky: | CS |
| Garanti: | Voves J. | Zakončení: | ZK |
| Přednášející: | Voves J. | Kreditů: | 4 |
| Cvičící: | Voves J. | Semestr: | L |
Webová stránka:
https://moodle.fel.cvut.cz/course/view.php?id=3731Anotace:
Základy počítačem podporovaného technologického návrhu. Device simulátor ATLAS a Sentaurus: principy a aplikace. Základní rovnice, okrajové podmínky, numerické metody. Modely rekombinace, lavinové ionizace, pohyblivosti. Praktické aplikace na pracovních stanicích SUN podle zaměření disertačních prací.Výsledek studentské ankety předmětu je zde: XP34AT
Cíle studia:
Osvojení teoretických základů a praktické aplikace simulátorů elektronických součástek a struktur.Osnovy přednášek:
| 1. | Základy počítačem podporovaného technologického návrhu | |
| 2. | Simulátory technologií | |
| 3. | Device simulator. | |
| 4. | ATLAS: princip, aplikace | |
| 5. | Základní rovnice | |
| 6. | Okrajové podmínky | |
| 7. | Numerické metody | |
| 8. | Modely rekombinace | |
| 9. | Modely lavinové ionizace | |
| 10. | Modely pohyblivosti | |
| 11. | Mixed-mode simulace. | |
| 12. | Rovnice vedení tepla. | |
| 13. | Příklady simulací. | |
| 14. | Praktické aplikace na pracovních stanicích SUN podle |
Osnovy cvičení:
Viz anotace.Literatura:
| T. | Mouthaan, Semiconductor Devices Explained, Wiley, 1999 |
Požadavky:
Fyzika pevných látekKlíčová slova:
simulace součástekPředmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
| Plán | Obor | Role | Dop. semestr |
| DOKP | Před zařazením do oboru | S | – |
| DOKK | Před zařazením do oboru | S | – |
| Stránka vytvořena 19.1.2026 09:51:30, semestry: Z,L/2026-7, Z/2027-8, Z,L/2025-6, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |