Popis předmětu - XP34APD
XP34APD | Moderní výkonové polovodičové součástky A INTEGROVANÉ OBVODY | ||
---|---|---|---|
Role: | S | Rozsah výuky: | 2P+2C |
Katedra: | 13134 | Jazyk výuky: | CS |
Garanti: | Vobecký J. | Zakončení: | ZK |
Přednášející: | Vobecký J. | Kreditů: | 4 |
Cvičící: | Vobecký J. | Semestr: | Z,L |
Webová stránka:
https://moodle.fel.cvut.cz/course/view.php?id=3730Anotace:
Fyzikální a technologické principy, trendy vývoje. Parametry a aplikace. Struktury bipolární, MOS, BiMOS, diody (bipol., Schottkyho), tranzistory (bipol., MOS, IGBT), tyristory (vč. GTO, MCT). Sekundární průraz, mechanismus, mezní hodnoty parametrů. Smart-power a vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace.Výsledek studentské ankety předmětu je zde: XP34APD
Osnovy přednášek:
1. | Fyzikální a technologické struktury | |
2. | Trendy vývoje | |
3. | Parametry a aplikace | |
4. | Struktury bipolární | |
5. | Struktury MOS | |
6. | Struktury BiMOS | |
7. | Diody PN | |
8. | Schottkyho diody | |
9. | Bipolární tranzistory | |
10. | Tranzistory MOS a IGBT | |
11. | Tyristory (včetně GTO a GCT) | |
12. | Sekundární průraz, mechanismus, bezpečná oblast | |
13. | Smart power součástky | |
14. | Vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace |
Osnovy cvičení:
nLiteratura:
B. | J. Baliga, Power Semiconductor Devices, PWS Publishing Company, 2000 |
Požadavky:
-Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán | Obor | Role | Dop. semestr |
DOKP | Před zařazením do oboru | S | – |
DOKK | Před zařazením do oboru | S | – |
Stránka vytvořena 14.10.2024 17:51:05, semestry: Z/2025-6, Z/2024-5, L/2023-4, L/2024-5, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |