Popis předmětu - XP34APD
Přehled studia |
Přehled oborů |
Všechny skupiny předmětů |
Všechny předměty |
Seznam rolí |
Vysvětlivky
Návod
Výsledek studentské ankety předmětu je zde: XP34APD
| XP34APD | Moderní výkonové polovodičové součástky A INTEGROVANÉ OBVODY | ||
|---|---|---|---|
| Role: | S | Rozsah výuky: | 2P+2C |
| Katedra: | 13134 | Jazyk výuky: | CS |
| Garanti: | Vobecký J. | Zakončení: | ZK |
| Přednášející: | Vobecký J. | Kreditů: | 4 |
| Cvičící: | Vobecký J. | Semestr: | Z,L |
Webová stránka:
https://moodle.fel.cvut.cz/course/view.php?id=3730Anotace:
Fyzikální a technologické principy, trendy vývoje. Parametry a aplikace. Struktury bipolární, MOS, BiMOS, diody (bipol., Schottkyho), tranzistory (bipol., MOS, IGBT), tyristory (vč. GTO, MCT). Sekundární průraz, mechanismus, mezní hodnoty parametrů. Smart-power a vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace.Výsledek studentské ankety předmětu je zde: XP34APD
Osnovy přednášek:
| 1. | Fyzikální a technologické struktury | |
| 2. | Trendy vývoje | |
| 3. | Parametry a aplikace | |
| 4. | Struktury bipolární | |
| 5. | Struktury MOS | |
| 6. | Struktury BiMOS | |
| 7. | Diody PN | |
| 8. | Schottkyho diody | |
| 9. | Bipolární tranzistory | |
| 10. | Tranzistory MOS a IGBT | |
| 11. | Tyristory (včetně GTO a GCT) | |
| 12. | Sekundární průraz, mechanismus, bezpečná oblast | |
| 13. | Smart power součástky | |
| 14. | Vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace |
Osnovy cvičení:
nLiteratura:
| B. | J. Baliga, Power Semiconductor Devices, PWS Publishing Company, 2000 |
Požadavky:
-Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
| Plán | Obor | Role | Dop. semestr |
| DOKP | Před zařazením do oboru | S | – |
| DOKK | Před zařazením do oboru | S | – |
| Stránka vytvořena 12.4.2026 05:51:41, semestry: L/2028-9, Z,L/2026-7, Z/2028-9, L/2029-30, Z/2027-8, Z,L/2025-6, L/2027-8, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |