Popis předmětu - B1M13VSE
B1M13VSE | Výkonové součástky v elektrotechnice | ||
---|---|---|---|
Role: | PV | Rozsah výuky: | 2P+2L |
Katedra: | 13113 | Jazyk výuky: | CS |
Garanti: | Papež V. | Zakončení: | Z,ZK |
Přednášející: | Papež V. | Kreditů: | 5 |
Cvičící: | Hájek J., Horák M., Papež V. | Semestr: | L |
Anotace:
Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Pasivní součástky pro výkonovou elektroniku. Bezindukční spojení a rozvody. Propojovací vodiče.Cíle studia:
Studenti budou seznámeni s vlastnostmi záklasních elektronických součástek, jejich použitím v obvodech výkonové elektronikyOsnovy přednášek:
1. | Polovodičové diody. | |
2. | Proudem řízené součástky. | |
3. | Napěťove řízené součástky. | |
4. | Spínací součástky tyristorového typu | |
5. | Rychlé spínací a vysokofrekvenční součástky | |
6. | Chlazení a proudová zatížitelnost součástek | |
7. | Pasivní součástky rezistory | |
8. | Pasivní součástky kondenzátory | |
9. | Pasivní součástky indukčnosti a transformátory | |
10. | Pasivní nelineární součástky | |
11. | Obvody s rozloženými parametry | |
12. | Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení | |
13. | Elektromechanické součástky | |
14. | Elektromagnetická kompatibilita ve výkonové elektronice |
Osnovy cvičení:
Výklad úloh Teplotní závislost charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT Dynamické paramety polovodičových spínačů Vliv zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů Výkonové zesilovače Transientní tepelná impedance součástek a chladičů Vlastnosti rezistorů a kondenzátorů při vysokých kmitočtech. Vlastnosti VF cívek a transformátorů. Obvody s rozloženými parametry Přizpůsobení ve výkonových obvodech Vysokofrekvenční a odrušovací filtry. EMC - vyhodnocení rušení Test ZápočetLiteratura:
Studijní literatura a studijní pomůcky : Benda, V., Papež, V. Komponenty výkonové elektroniky,Praha, ČVUT, 2006 Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006 Lutz J.et all: Semiconductor Power Devices: Physics, Charakteristics, Reliability, Springer 2011Požadavky:
Pro získání zápočtu se student účastní seminářů, dokumentuje výsledky měření, odevzdá protokol z jedné laboratorní úlohyPoznámka:
Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l |
Klíčová slova:
elektronické součástky, výroba elektronických součástek výkonmové elektronické součástkyPředmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán | Obor | Role | Dop. semestr |
MPEEM1_2018 | Elektrické pohony | PV | 2 |
MPEEM3_2018 | Technologické systémy | PV | 2 |
MPEEM2_2018 | Elektroenergetika | PV | 2 |
Stránka vytvořena 5.12.2024 17:51:00, semestry: Z/2025-6, Z,L/2024-5, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |