Popis předmětu - A8M34NAN
| A8M34NAN | Nanoelektronika a nanotechnologie | ||
|---|---|---|---|
| Role: | PO | Rozsah výuky: | 2P+2C |
| Katedra: | 13134 | Jazyk výuky: | CS |
| Garanti: | Voves J. | Zakončení: | Z,ZK |
| Přednášející: | Voves J. | Kreditů: | 5 |
| Cvičící: | Voves J. | Semestr: | L |
Webová stránka:
http://moodle.fel.cvut.cz/Anotace:
Cílem předmětu je seznámení studentů se současnými nanotechnologiemi ve vztahu k elektronickým, fotonickým a spintronickým aplikacím. V předmětu jsou využity základy kvantové teorie k objasnění jevů, ke kterým dochází v nanometrových strukturách. Probrány jsou základní nanoelektronické součástky a jejich možné aplikace. Pozornost je věnována moderním počítačovým metodám a modelům, které umožňují simulovat funkci nanoelektronických struktur a které jsou důležitým nástrojem při jejich návrhu a optimalizaci.Osnovy přednášek:
| 1. | Úvod - cesta k nanoelektronice | |
| 2. | Kvantové jevy v nanostrukturách, polovodičové heterostruktury v nanoelektronice. | |
| 3. | Nanometrové struktury. Výpočty kvantových stavů a vlnových funkcí | |
| 4. | Modely kvantového transportu | |
| 5. | Simulace nanoelektronických součástek | |
| 6. | Systémy TCAD . Využití při návrhu a výrobě polovodičových součástek a obvodů. | |
| 7. | Moderní metody epitaxe. Epitaxe z molekulárních svazků (MBE), epitaxe z organokovů (MOVPE) | |
| 8. | Nanolitografie. Extrémní ultrafialová litografie, rentgenová, eleketronová a iontová litografie. | |
| 9. | Dvorozměrné struktury. Heterostrukturní FET (HEMT). Součástky s rezonančním tunelováním a jejich aplikace | |
| 10. | Jednorozměrné struktury. Uhlíhové nanotrubky a jejich aplikace. | |
| 11. | Kvantové tečky a jejich aplikace. Coulombovská blokáda. Tranzistory s jedním elektronem. Polovodičové lasery. | |
| 12. | Spintronické nanosoučástky. Feromagnetické polovodiče, Rashbův jev, obří magnetorezistence. | |
| 13. | Nanoelektronika se supravodivými součástkami, Josephsonův jev, SQUID. | |
| 14. | Molekulární elektronika. Vytváření nanostruktur přístupem "bottom - up". |
Osnovy cvičení:
Literatura:
| 1. | K. Goser, P. Glösekötter, J. Dienstuhl, Nanoelectronics and Nanosystems, Springer, 2004. | |
| 2. | P. Harrison, Quantum Wells, Wires and Dots, J. Wiley & Sons, 1999. |
Požadavky:
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
| Plán | Obor | Role | Dop. semestr |
| MPOES3 | Integrované elektronické systémy | PO | 2 |
| Stránka vytvořena 16.6.2026 17:51:32, semestry: L/2029-30, L/2027-8, Z/2028-9, L/2025-6, Z/2027-8, L/2028-9, Z,L/2026-7, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |