Popis předmětu - AE2M34NAN

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
AE2M34NAN Nanoelectronics and Nanotechnology
Role:  Rozsah výuky:2P+2C
Katedra:13134 Jazyk výuky:CS
Garanti:  Zakončení:Z,ZK
Přednášející:  Kreditů:5
Cvičící:  Semestr:L

Webová stránka:

https://moodle.fel.cvut.cz/enrol/index.php?id=2936

Anotace:

The subject is oriented on the present nanotechnologies in the connection with their electronic, photonic and spintrinic applications. Quantum theory basics are used to explain the effects observed in nanostructures. Basic nanoelectronic structures are described with their possible applications. Modern computer methods and models, which are able to simulate the operation of nanoelectronic structures and which are the important tools for their design and optimalisation, are studied.

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: AE2M34NAN

Cíle studia:

Cílem studia je získat základní přehled o uplatnění nanotechnologií v elektronice a spintronice a seznámit studenty s posledními v oblasti elektronických nanosoučástek.

Osnovy přednášek:

1. Introduction - the Way to Nanoelectronics
2. Quanatum Effects in Nanostructures
3. Quantum states and wavefunctions calculations
4. Quantum transport models
5. Simulation of Nanoelectronic Devices
6. TCAD Systems
7. Modern Epitaxy
8. Nanolitography
9. 2D Systems, Resonant Tunneling Devices, HFETs
10. 1D Systems, Nanowires
11. Quantum Dots, Single-Electron Transistors
12. Spintronic Nanodevices
13. Nanoelectronics with Superconducting Devices
14. Molecular electronics, Bottom - up Concept

Osnovy cvičení:

1. Seminary: Semiconductor Electronics - Basics
2. Seminary: Quantum Effects in Nanostructures
3. Seminary: Quantum Effects Applications
4. Nanodevice Simulation Tools
5. RTD Simulation..
6. Quantum Dot Simulation.
7. TCAD Systems- Semiconductor Devices Design
8. Nano FET Simulation.
9. Visit in MBE, MOVPE Laboratory
10. HEMT, HBT simulation
11. Semiconductor Laser Simulation
12. Visit in AFM, BEEM, SIMS Laboratory
13. AFM,STM Microscopy
14. Conclusions

Literatura:

1. K. Goser, P. Glösekötter, J. Dienstuhl, Nanoelectronics and Nanosystems, Springer, 2004.
2. P. Harrison, Quantum Wells, Wires and Dots, J. Wiley & Sons, 1999.

Požadavky:

https://moodle.kme.fel.cvut.cz/moodle/login/index.php?lang=cs Semiconductor Devices, Electronic Circuits

Klíčová slova:

molecular beam epitaxy, metalorganic vapor phase epitaxy, atomic layer epitaxy, delta doping, electron litography, extreme ultraviolet litography, X-ray litography, quantum well, quantum wire, quantum dot, resonant tunneling, Coulomb blockade, single electron transistor, ferromagnetic semiconductor, Currie temperature, Rashba effect, giant magnetoresistence, spin field effect transistor, spin light emmiting diode, Josephson junction, squid

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr

Stránka vytvořena 16.9.2024 17:50:45, semestry: Z/2025-6, L/2023-4, Z,L/2024-5, Z/2023-4, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)
Za obsah odpovídá: doc. RNDr. Veronika Sobotíková, CSc.