Přehled studia |
Přehled oborů |
Všechny skupiny předmětů |
Všechny předměty |
Seznam rolí |
Vysvětlivky
Návod
Webová stránka:
https://moodle.fel.cvut.cz/courses/A0M13MKV
Anotace:
Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Sériové a paralelní řazení součástek Provozní spolehlivost komponentů a zařízení.
Výsledek studentské ankety předmětu je zde:
A0M13MKV
Cíle studia:
Seznámit studenty se strukturou, funkcí, základními parametry moderních výkonových polovodičových součástek.
Osnovy přednášek:
1. | | Úvod do problematiky. Základní fyzikální principy. |
2. | | Polovodiče pro VPS (Si, GaAs, SiC) a jejich parametry. |
3. | | Výkonové diody P-I-N. Aplikačně specifické diody s rychlou komutací. |
4. | | Schottkyho diody. Kombinované diody. |
5. | | BJT. Tyristor. |
6. | | Moderní součástky tyristorového typu (GTO, IGCT). |
7. | | Výkonový MOSFET (VD MOS, T MOS). SJ MOS |
8. | | IGBT. PT a NPT struktury |
9. | | Výkonové součástky pro vysoké frekvence. RF LDMOS, HJT |
10. | | Výkonové integrované obvody (PIC). Výkonové moduly (IPM). |
11. | | Chlazení a proudová zatížitelnost součástek. |
12. | | Pouzdra a chladice vykonovych soucástek |
13. | | Sériové a paralelní řazení součástek |
14. | | Podmínky spolehlivého provozu ve výkonových měničích. |
Osnovy cvičení:
1. | | Organizační záležitosti, úvod do problematiky |
2. | | Výklad první skupiny laboratorních úloh s ukázkami |
3. | | Výklad druhé skupiny laboratorních úloh s ukázkami |
4. | | Výklad třetí skupiny laboratorních úloh s ukázkami |
5. | | Výklad čtvrté skupiny laboratorních úloh s ukázkami |
6. | | Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik tyristorů a diod |
7. | | Měření teplotní závislosti propustných charakteristik tyristorů a diod |
8. | | Měření dynamických procesů při závěrném zotavení diod |
9. | | Měření teplotní závislosti charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT |
10. | | Měření dynamických parametrů polovodičových spínačů |
11. | | Měření vlivu zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů |
12. | | Měření parametrů pasivních součástek |
13. | | Měření transientní tepelné impedance součástek a chladičů |
14. | | Zápočet |
Literatura:
1. | | Benda, V., Papež, V. Výroba silnoproudých zařízení II. Praha: ČVUT. 2001 |
2. | | Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices. Chichester: J.Wiley & Sons. 1999 |
3. | | Benda, V., Papež, V.: Komponenty výkonové elektrotechniky - laboratorní cvičení, Praha, ČVUT, 2005 |
4. | | Vobecký, J., Záhlava, V. Elektronika - součástky a obvody, principy a příklady. Praha: Grada. 2000 |
Požadavky:
Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce
Poznámka:
Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l |
Klíčová slova:
výkonové polovodičové součástky, diody, tyristory, IGBT, IGCT, MOS, SJ FET, chlazení, spolehlivost
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán |
Obor |
Role |
Dop. semestr |
Stránka vytvořena 22.7.2024 17:51:06, semestry: Z,L/2023-4, Z,L/2024-5, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů |
Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |