Popis předmětu - A0M13MKV
A0M13MKV | Moderní komponenty výkonové elektroniky | ||
---|---|---|---|
Role: | Rozsah výuky: | 2P+2L | |
Katedra: | 13113 | Jazyk výuky: | CS |
Garanti: | Zakončení: | Z,ZK | |
Přednášející: | Kreditů: | 5 | |
Cvičící: | Semestr: | L |
Webová stránka:
https://moodle.fel.cvut.cz/courses/A0M13MKVAnotace:
Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Sériové a paralelní řazení součástek Provozní spolehlivost komponentů a zařízení.Výsledek studentské ankety předmětu je zde: A0M13MKV
Cíle studia:
Seznámit studenty se strukturou, funkcí, základními parametry moderních výkonových polovodičových součástek.Osnovy přednášek:
1. | Úvod do problematiky. Základní fyzikální principy. | |
2. | Polovodiče pro VPS (Si, GaAs, SiC) a jejich parametry. | |
3. | Výkonové diody P-I-N. Aplikačně specifické diody s rychlou komutací. | |
4. | Schottkyho diody. Kombinované diody. | |
5. | BJT. Tyristor. | |
6. | Moderní součástky tyristorového typu (GTO, IGCT). | |
7. | Výkonový MOSFET (VD MOS, T MOS). SJ MOS | |
8. | IGBT. PT a NPT struktury | |
9. | Výkonové součástky pro vysoké frekvence. RF LDMOS, HJT | |
10. | Výkonové integrované obvody (PIC). Výkonové moduly (IPM). | |
11. | Chlazení a proudová zatížitelnost součástek. | |
12. | Pouzdra a chladice vykonovych soucástek | |
13. | Sériové a paralelní řazení součástek | |
14. | Podmínky spolehlivého provozu ve výkonových měničích. |
Osnovy cvičení:
1. | Organizační záležitosti, úvod do problematiky | |
2. | Výklad první skupiny laboratorních úloh s ukázkami | |
3. | Výklad druhé skupiny laboratorních úloh s ukázkami | |
4. | Výklad třetí skupiny laboratorních úloh s ukázkami | |
5. | Výklad čtvrté skupiny laboratorních úloh s ukázkami | |
6. | Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik tyristorů a diod | |
7. | Měření teplotní závislosti propustných charakteristik tyristorů a diod | |
8. | Měření dynamických procesů při závěrném zotavení diod | |
9. | Měření teplotní závislosti charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT | |
10. | Měření dynamických parametrů polovodičových spínačů | |
11. | Měření vlivu zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů | |
12. | Měření parametrů pasivních součástek | |
13. | Měření transientní tepelné impedance součástek a chladičů | |
14. | Zápočet |
Literatura:
1. | Benda, V., Papež, V. Výroba silnoproudých zařízení II. Praha: ČVUT. 2001 | |
2. | Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices. Chichester: J.Wiley & Sons. 1999 | |
3. | Benda, V., Papež, V.: Komponenty výkonové elektrotechniky - laboratorní cvičení, Praha, ČVUT, 2005 | |
4. | Vobecký, J., Záhlava, V. Elektronika - součástky a obvody, principy a příklady. Praha: Grada. 2000 |
Požadavky:
Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušcePoznámka:
Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l |
Klíčová slova:
výkonové polovodičové součástky, diody, tyristory, IGBT, IGCT, MOS, SJ FET, chlazení, spolehlivostPředmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán | Obor | Role | Dop. semestr |
Stránka vytvořena 4.12.2024 17:50:56, semestry: Z/2025-6, Z,L/2024-5, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |