Přehled studia |
Přehled oborů |
Všechny skupiny předmětů |
Všechny předměty |
Seznam rolí |
Vysvětlivky
Návod
Webová stránka:
http://ocw.cvut.cz/moodle/course/enrol.php?id=292
Anotace:
Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Sériové a paralelní řazení součástek Provozní spolehlivost komponentů a zařízení.
Výsledek studentské ankety předmětu je zde:
A0M13MKV
Cíle studia:
Seznámit studenty se strukturou, funkcí, základními parametry moderních výkonových polovodičových součástek.
Osnovy přednášek:
| 1. | | Úvod do problematiky. Základní fyzikální principy. |
| 2. | | Polovodiče pro VPS (Si, GaAs, SiC) a jejich parametry. |
| 3. | | Výkonové diody P-I-N. Aplikačně specifické diody s rychlou komutací. |
| 4. | | Schottkyho diody. Kombinované diody. |
| 5. | | BJT. Tyristor. |
| 6. | | Moderní součástky tyristorového typu (GTO, IGCT). |
| 7. | | Výkonový MOSFET (VD MOS, T MOS). SJ MOS |
| 8. | | IGBT. PT a NPT struktury |
| 9. | | Výkonové součástky pro vysoké frekvence. RF LDMOS, HJT |
| 10. | | Výkonové integrované obvody (PIC). Výkonové moduly (IPM). |
| 11. | | Chlazení a proudová zatížitelnost součástek. |
| 12. | | Pouzdra a chladice vykonovych soucástek |
| 13. | | Sériové a paralelní řazení součástek |
| 14. | | Podmínky spolehlivého provozu ve výkonových měničích. |
Osnovy cvičení:
| 1. | | Organizační záležitosti, úvod do problematiky |
| 2. | | Výklad první skupiny laboratorních úloh s ukázkami |
| 3. | | Výklad druhé skupiny laboratorních úloh s ukázkami |
| 4. | | Výklad třetí skupiny laboratorních úloh s ukázkami |
| 5. | | Výklad čtvrté skupiny laboratorních úloh s ukázkami |
| 6. | | Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik tyristorů a diod |
| 7. | | Měření teplotní závislosti propustných charakteristik tyristorů a diod |
| 8. | | Měření dynamických procesů při závěrném zotavení diod |
| 9. | | Měření teplotní závislosti charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT |
| 10. | | Měření dynamických parametrů polovodičových spínačů |
| 11. | | Měření vlivu zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů |
| 12. | | Měření parametrů pasivních součástek |
| 13. | | Měření transientní tepelné impedance součástek a chladičů |
| 14. | | Zápočet |
Literatura:
| 1. | | Benda, V., Papež, V. Výroba silnoproudých zařízení II. Praha: ČVUT. 2001 |
| 2. | | Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices. Chichester: J.Wiley & Sons. 1999 |
| 3. | | Benda, V., Papež, V.: Komponenty výkonové elektrotechniky - laboratorní cvičení, Praha, ČVUT, 2005 |
| 4. | | Vobecký, J., Záhlava, V. Elektronika - součástky a obvody, principy a příklady. Praha: Grada. 2000 |
Požadavky:
Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce
Poznámka:
| Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l |
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
| Plán |
Obor |
Role |
Dop. semestr |
| Stránka vytvořena 13.10.2024 17:50:35, semestry: L/2023-4, Z,L/2024-5, Z/2025-6, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů |
Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |