Přehled studia |
Přehled oborů |
Všechny skupiny předmětů |
Všechny předměty |
Seznam rolí |
Vysvětlivky
Návod
Webová stránka:
https://moodle.fel.cvut.cz/courses/AE0M13MKV
Anotace:
Power semiconductor device (diodes, BJTs, thyristors, MOSFETs and IGBTs) and integraed structures (modules). Structures, function, characteristics and parameters, conditions for reliable operation. Connection of devices in parallel and in series. Operating reliability of power components and equipments.
Výsledek studentské ankety předmětu je zde:
AE0M13MKV
Cíle studia:
Seznámit studenty se strukturou, funkcí, základními parametry moderních výkonových polovodičových součástek.
Osnovy přednášek:
| 1. | | Introduction. Physics of basic structures |
| 2. | | Materials for power devices (Si, SiC, GaN) |
| 3. | | Power diodes (static and dynamic characteristics) |
| 4. | | Schottky diodes and combined structures |
| 5. | | Power transistors and thyristors |
| 6. | | Modern thyristor type devices (GTO, IGCT, LTT) |
| 7. | | Power MOSFETs (VDMOS, TMOS, SJMOS) |
| 8. | | IGBTs. PT and NPT structures. |
| 9. | | Devices for high frequency operation (LD MOS, HJT) |
| 10. | | Power integration (PIC, IPM) |
| 11. | | The cooling of power device. |
| 12. | | Device encapsulations and heat sinks |
| 13. | | Device connection in series and in parallel |
| 14. | | Operating reliability of power devices and components |
Osnovy cvičení:
| 1. | | Introduction |
| 2. | | The first group of laboratory tasks - theory and ezpalation |
| 3. | | The sekond group of laboratory tasks - theory and explanation |
| 4. | | The third group of laboratory tasks - theory and explanation |
| 5. | | Measuring of temperature dependence of reverse characteristics of thyristors and diodes |
| 6. | | Measuring of temperature dependence of forward characteristics of thyristors and diodes |
| 7. | | Measuring of dynamic paprameters during diode reverse recovery process |
| 8. | | Measuring of static characteristics of BJT, MOSFET a IGBT in dependence on temperature |
| 9. | | Measuring og dynamec parameters of semiconductor switches |
| 10. | | Meausring of the trajectory of the operating point during device switching |
| 11. | | Measuring of pasive devioce parametrs |
| 12. | | Measuring of transient thermal impedance |
| 13. | | Materiále and construction of components - exhibition |
| 14. | | Closing |
Literatura:
| 1. | | Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices. |
Chichester: J.Wiley & Sons. 1999
| 2. | | Baliga, J. Power Semiconductor Devices. Boston: PWS Publishing |
Company.1995
Požadavky:
A student has to obtain a credit before an examination
Poznámka:
| Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l |
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
| Plán |
Obor |
Role |
Dop. semestr |
| Stránka vytvořena 18.9.2024 07:50:53, semestry: Z/2025-6, Z,L/2024-5, Z,L/2023-4, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů |
Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |