13000 / 13134 - Publikace - 2024

13000 / 13134 - katedra mikroelektroniky

Publikační činnost 2024

Články v časopisech WoS

VOBECKÝ, J. On the Commutation of Thyristors for High-Voltage Direct Current Transmission (HVDC). IEEE Transactions on Electron Devices. 2024, 71 715-719. ISSN 0018-9383. DOI 10.1109/TED.2023.3336284.

Patenty a užitné vzory

České vysoké učení technické v Praze; OPTOKON, a.s. Systém pro optickou datovou komunikaci a přenos optické energie určené pro přeměnu na elektrickou energii. Původci: J. ŠTEFL, V. PRAJZLER a T. MARTAN. Česko. Patent CZ 309936. 2024-01-04. Dostupné z: https://isdv.upv.gov.cz/webapp/resdb.print_detail.det?pspis=PT/2022-129&plang=CS

Články v ostatních periodikách

HAZDRA, P. et al. Vertical Schottky diode on (113) oriented homoepitaxial diamond. Diamond and Related Materials. 2024, 146 ISSN 1879-0062. DOI 10.1016/j.diamond.2024.111180. Dostupné z: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925963524003935

JIRSA, J. et al. Winner-Leader-Follower a Novel Hit Allocation Algorithm for Pixel Detectors. IEEE Transactions on Nuclear Science. 2024, ISSN 1558-1578. DOI 10.1109/TNS.2024.3378002.

Stati ve sbornících konferencí

POVOLNÝ, V. et al. EVALUATION OF INKJET PRINTED HEATERS ARRAY FOR CHEMO-RESISTIVE GAS SENSOR. In: NANOCON 2023 Conference Proceedings. Nanocon 2023, Brno, 2023-10-18/2023-10-20. Ostrava: TANGER, 2024. s. 52-57. NANOCON Conference Proceedings - International Conference on Nanomaterials. ISSN 2694-930X. ISBN 978-80-88365-15-0. DOI 10.37904/nanocon.2023.4770.

DADASHOV, R. a J. VOVES. The atomistic model of electronic properties of Al2O3 and ZnO for the calculations of Al-doped ZnO. In: Journal of Physics: Conference Series. 12th International Conference on Mathematical Modeling in Physical Sciences, Beograd, 2023-08-28/2023-08-31. Madeira: IOPscience, 2024. sv. 2701. ISSN 1742-6596. DOI 10.1088/1742-6596/2701/1/012096. Dostupné z: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2701/1/012096

Stránka vytvořena 14.05.2024 05:00:01
Za obsah odpovídá: RNDr. Patrik Mottl, Ph.D.